开关电源
AC-DC、DC-DC 与 PFC。
英飞凌MOSFET代理
英飞凌 MOSFET 覆盖 CoolMOS™ 高压超结与 OptiMOS™ 中低压沟槽系列，广泛用于开关电源、电机驱动、充电器与负载开关。CoolMOS™ 侧重高压低导通损耗，OptiMOS™ 侧重低栅极电荷与高频效率。选型时要结合耐压、RDS(on)、栅极电荷、封装与散热综合评估，并注意驱动电压与 EMI 的平衡。高频设计还要关注栅极驱动、寄生电感与布局，建议在样机阶段同时测效率与温升。力通提供英飞凌MOSFET代理、现货与 FAE 选型支持。
| 型号 | 系列 | 耐压 | 电流 | RDS(on) | 温度 | 封装 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPP60R099P7 | CoolMOS™ P7 | 600 V | 38 A | 99 mΩ | -40~150℃ | TO-220 | 有货 | 查看详情 |
| BSC0902NSI | OptiMOS™ | 30 V | 100 A | 2.1 mΩ | -55~150℃ | SuperSO8 | 有货 | 查看详情 |
| IPW60R041P6 | CoolMOS™ P6 | 600 V | 78 A | 41 mΩ | -40~150℃ | TO-247 | 询价 | 查看详情 |
| BSC030N08NS5 | OptiMOS™ 5 | 80 V | 100 A | 3.0 mΩ | -55~150℃ | SuperSO8 | 有货 | 查看详情 |
| IPB80N06S4 | OptiMOS™ 4 | 60 V | 80 A | 4.5 mΩ | -55~175℃ | D2PAK | 有货 | 查看详情 |
| IPA60R280P7 | CoolMOS™ P7 | 600 V | 14 A | 280 mΩ | -40~150℃ | TO-220 FullPAK | 有货 | 查看详情 |
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FAE 点评 · 张工（功率器件 FAE，15 年）
MOSFET 选型常见误区是只比 RDS(on)。栅极电荷、输出电容与封装热阻同样关键，尤其在频率上来之后，开关损耗会迅速超过导通损耗。
应用领域
电机驱动
BLDC 与低压电机。
充电器
快充与适配器。
负载开关
电池保护与热插拔。
优势对比
低导通损耗
RDS(on) 与品质因数优化。
高频效率
低栅极电荷，适合高频开关。
封装丰富
TO、SuperSO8、D2PAK 等。
供货稳定
主流型号常备现货。
替代料号 / 配套料号
常见问题
CoolMOS 与 OptiMOS 的区别是什么？
CoolMOS™ 是高压超结技术，强调高压下的低导通损耗与效率，常见于 PFC、AC-DC 与工业电源；OptiMOS™ 是中低压沟槽技术，强调低栅极电荷与高频效率，适合 DC-DC、电机与负载开关。
选型先看母线电压与应用频率，再比较 RDS(on)、Qg 与封装热阻。
选型时建议把母线电压、负载电流、开关频率、环境温度与散热条件一起纳入评估，避免只看单一参数。
对于需要长期供货的项目，建议同步确认生命周期、批次一致性与替代料方案，降低供应波动风险。
样机阶段应完成开关波形、温升、EMC 与保护动作的联合测试，再冻结外围参数与散热设计。
如果涉及功能安全、车规或特殊认证，请提前确认温度等级、认证文件与测试覆盖范围。
建议：按耐压筛选表格，或提交应用参数由 FAE 推荐。
RDS(on) 与耐压如何权衡？
耐压提高通常会增加导通电阻与芯片面积，RDS(on) 与耐压、成本之间存在权衡。
建议在满足电压裕量的前提下，结合工作电流与温升选择 RDS(on)，不要盲目追求最低值。
选型时建议把母线电压、负载电流、开关频率、环境温度与散热条件一起纳入评估，避免只看单一参数。
对于需要长期供货的项目，建议同步确认生命周期、批次一致性与替代料方案，降低供应波动风险。
样机阶段应完成开关波形、温升、EMC 与保护动作的联合测试，再冻结外围参数与散热设计。
如果涉及功能安全、车规或特殊认证，请提前确认温度等级、认证文件与测试覆盖范围。
需要进一步确认时，可提交完整型号、拓扑与测试条件，由力通 FAE 协助做替代料比对与方案复核。
建议：提供母线电压与电流，让 FAE 协助计算损耗。
表格中的参数列如何筛选？
表格支持按耐压、电流与 RDS(on) 排序筛选，点击表头切换升降序；关键字可搜索型号与封装。
建议先按耐压与封装筛选，再比较 RDS(on)、Qg 与供货状态。
选型时建议把母线电压、负载电流、开关频率、环境温度与散热条件一起纳入评估，避免只看单一参数。
对于需要长期供货的项目，建议同步确认生命周期、批次一致性与替代料方案，降低供应波动风险。
样机阶段应完成开关波形、温升、EMC 与保护动作的联合测试，再冻结外围参数与散热设计。
如果涉及功能安全、车规或特殊认证，请提前确认温度等级、认证文件与测试覆盖范围。
需要进一步确认时，可提交完整型号、拓扑与测试条件，由力通 FAE 协助做替代料比对与方案复核。
以上建议用于选型参考，具体参数与限制请以英飞凌最新数据手册和实际工况验证为准。
建议：筛选后点击型号查看详情与替代料。
高压与低压 MOSFET 的应用差异？
高压 MOSFET 多用于 PFC、AC-DC 与工业电源，关注耐压与开关损耗；低压 MOSFET 多用于 DC-DC、电机与负载开关，关注 RDS(on) 与电流能力。
低压应用还要注意驱动电压与导通电阻的匹配，避免驱动不足导致发热。
选型时建议把母线电压、负载电流、开关频率、环境温度与散热条件一起纳入评估，避免只看单一参数。
对于需要长期供货的项目，建议同步确认生命周期、批次一致性与替代料方案，降低供应波动风险。
样机阶段应完成开关波形、温升、EMC 与保护动作的联合测试，再冻结外围参数与散热设计。
如果涉及功能安全、车规或特殊认证，请提前确认温度等级、认证文件与测试覆盖范围。
需要进一步确认时，可提交完整型号、拓扑与测试条件，由力通 FAE 协助做替代料比对与方案复核。
建议：查看对应耐压区间的型号，或让 FAE 按拓扑推荐。
封装（TO-220、SuperSO8、D2PAK）如何选择？
TO-220 便于散热与手工装配；SuperSO8 体积小、适合高密度与自动化贴装；D2PAK 兼顾功率与贴装。
封装选择要结合散热、PCB 面积、装配工艺与成本，必要时做热仿真。
选型时建议把母线电压、负载电流、开关频率、环境温度与散热条件一起纳入评估，避免只看单一参数。
对于需要长期供货的项目，建议同步确认生命周期、批次一致性与替代料方案，降低供应波动风险。
样机阶段应完成开关波形、温升、EMC 与保护动作的联合测试，再冻结外围参数与散热设计。
如果涉及功能安全、车规或特殊认证，请提前确认温度等级、认证文件与测试覆盖范围。
需要进一步确认时，可提交完整型号、拓扑与测试条件，由力通 FAE 协助做替代料比对与方案复核。
建议：按封装筛选表格，或索取封装热阻数据。
如何降低 MOSFET 的开关损耗与过热？
可从降低开关频率、优化栅极电阻、选择低 Qg 器件、改善散热与布局入手。
过热往往来自驱动不足、散热不良或回路寄生电感过大，建议先测波形与温升定位根因。
选型时建议把母线电压、负载电流、开关频率、环境温度与散热条件一起纳入评估，避免只看单一参数。
对于需要长期供货的项目，建议同步确认生命周期、批次一致性与替代料方案，降低供应波动风险。
样机阶段应完成开关波形、温升、EMC 与保护动作的联合测试，再冻结外围参数与散热设计。
如果涉及功能安全、车规或特殊认证，请提前确认温度等级、认证文件与测试覆盖范围。
需要进一步确认时，可提交完整型号、拓扑与测试条件，由力通 FAE 协助做替代料比对与方案复核。
以上建议用于选型参考，具体参数与限制请以英飞凌最新数据手册和实际工况验证为准。
建议：阅读过热排查手册，或让 FAE 协助定位。
MOSFET 替代料号如何选择？
优先匹配耐压、RDS(on)、电流、Qg 与封装，并核对驱动电压与引脚定义。
替代后要复测效率、温升与 EMI，避免只看静态参数。
选型时建议把母线电压、负载电流、开关频率、环境温度与散热条件一起纳入评估，避免只看单一参数。
对于需要长期供货的项目，建议同步确认生命周期、批次一致性与替代料方案，降低供应波动风险。
样机阶段应完成开关波形、温升、EMC 与保护动作的联合测试，再冻结外围参数与散热设计。
如果涉及功能安全、车规或特殊认证，请提前确认温度等级、认证文件与测试覆盖范围。
需要进一步确认时，可提交完整型号、拓扑与测试条件，由力通 FAE 协助做替代料比对与方案复核。
以上建议用于选型参考，具体参数与限制请以英飞凌最新数据手册和实际工况验证为准。
建议：提交原型号与工况，FAE 给出替代清单。
如何获取 MOSFET 样品与报价？
通过联系我们提交型号、数量与项目阶段，销售会回复报价与样品政策。
技术问题会转交 FAE，便于确认驱动与散热设计。
选型时建议把母线电压、负载电流、开关频率、环境温度与散热条件一起纳入评估，避免只看单一参数。
对于需要长期供货的项目，建议同步确认生命周期、批次一致性与替代料方案，降低供应波动风险。
样机阶段应完成开关波形、温升、EMC 与保护动作的联合测试，再冻结外围参数与散热设计。
如果涉及功能安全、车规或特殊认证，请提前确认温度等级、认证文件与测试覆盖范围。
需要进一步确认时，可提交完整型号、拓扑与测试条件，由力通 FAE 协助做替代料比对与方案复核。
以上建议用于选型参考，具体参数与限制请以英飞凌最新数据手册和实际工况验证为准。
建议：前往联系我们提交询价或样品申请。