专长：IGBT / MOSFET / 功率器件
经验：多年功率器件 FAE 经验
为保护隐私，使用化名。
长期支持电机驱动、光伏储能与电源客户，擅长驱动、散热与替代料验证。
从开关损耗、dv/dt 与 EMI 的折中出发，给出栅极电阻、驱动功率与保护设计的实用思路。
按驱动、散热、布局与选型四条线索，系统定位 MOSFET 过热根因并给出整改路径。
从损耗、频率、驱动与 EMI 四个维度，对比 CoolSiC™ 与 OptiMOS™ 的适用边界。
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